MN504S磁性編碼傳感器|德國IFM銷售

德國IFM易福門MN504S磁性編碼傳感器薄膜磁敏電阻器利用的是強磁合金薄膜中的磁敏電阻各向異性效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場作用下,以坡莫合金為代表的強磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出2 [%]～5 [%]的變化。利用這種效應(yīng)已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來檢測和控制電機的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強計、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等。它們可檢測10 - 10～10 - 2 T 的弱磁場,靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好, 將成為弱磁場傳感和檢測的重要器件。電力電子表技術(shù)是電力技術(shù)和電子技術(shù)的結(jié)合，可實現(xiàn)交直流電流的相互變換，并可在所需的范圍內(nèi)實現(xiàn)電流、電壓和頻率的自由調(diào)節(jié)。

采用這些技術(shù)和產(chǎn)品，可做成各種特殊電源(如UPS、高頻電源、開關(guān)電源、弧焊機逆變電源等)和交流變頻器等產(chǎn)品(交流變頻器用于電機調(diào)速，節(jié)能效果。這些變流裝置的核心，是大功率半導(dǎo)體器件。以磁傳感器為基礎(chǔ)的各種電流傳感器被用來監(jiān)測、控制和保護(hù)這些大功率器件巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機制的巨磁電阻磁傳感器。它們呈現(xiàn)出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注，各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力

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已研制和生產(chǎn)出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應(yīng)磁傳感器等[4 ] 。發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng),比巨磁電阻的響應(yīng)靈敏度高一個量級,可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭的有力競爭者。利用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術(shù)生長In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚是分子級的,這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的

技術(shù)參數(shù)：

外殼

矩形的

尺寸 [mm]

88 x 13.1 x 25

運行方式

持久運行

應(yīng)用

用于安全應(yīng)用

電氣數(shù)據(jù)

工作電壓 [V]

24 DC

額定絕緣電壓 [V]

60

防護(hù)等級

III

反相保護(hù)

否

內(nèi)阻 (Ri) [Ω]

10; (1 W)

輸出

輸出功能

2 x 常開，1 x 常閉; (無電勢)

電流負(fù)載 [mA]

50

開關(guān)頻率DC [Hz]

150

輸出數(shù)據(jù)

接口類型A

短路保護(hù)

否

電容負(fù)載值

20

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